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[发明专利]钙钛矿厚膜X射线探测器及其制备方法-CN202110031000.8有效
发明人：林乾乾;李威;许亚伦 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供钙钛矿厚膜X射线探测器及其制备方法，钙钛矿厚膜X射线探测器的特征在于包括：透明导电膜基底、空穴传输层、钙钛矿厚膜、电子传输层、电极，其中，钙钛矿厚膜通过真空热共蒸发法制得，并且位于空穴传输层和电子传输层之间制备方法的特征在于：将不同的钙钛矿原料分别放入不同的束源炉，并分别加到各自的沸点，同时对基底进行原位加热，然后进行真空热共蒸得到钙钛矿厚膜。本发明所提供的钙钛矿厚膜X射线探测器具有优异的电荷传输性能、极快的响应速度、较高的X射线灵敏度和较好的稳定性，并且制备工艺简单，厚度可调，易于在柔性基底上制备，在医学成像、航空安检等领域具有广泛潜在应用
钙钛矿厚膜射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种复合厚膜的制备方法-CN202210965320.5有效
发明人：唐江;牛广达;胡浩 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本申请涉及基本电器元件技术领域，尤其涉及一种复合厚膜的制备方法，所述方法包括制备钙钛矿颗粒；将所述钙钛矿颗粒与热熔胶混合，获取钙钛矿热熔胶混合粉体；对所述钙钛矿热熔胶混合粉体进行塑形，获取目标厚度的复合厚膜通过本申请提供的方法，有利于简化技术流程，提高成形质量，获得满足市场需求的钙钛矿厚膜。
一种复合制备方法

[发明专利]一种钙钛矿复合厚膜的制备方法-CN202210965253.7在审
发明人：唐江;牛广达;胡浩 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B29B7/00 文献下载
摘要：本申请涉及基本电器元件技术领域，尤其涉及一种钙钛矿复合厚膜的制备方法，所述方法包括制备钙钛矿颗粒；将所述钙钛矿颗粒与光敏树脂混合，获取钙钛矿浆料；将所述钙钛矿浆料与导电基板相结合，并对所述钙钛矿浆料进行塑形，获取目标厚度的钙钛矿膜。通过本申请提供的方法，有利于简化技术流程，提高成形质量，获得满足市场需求的钙钛矿厚膜。
一种钙钛矿复合制备方法

[发明专利]一种钙钛矿纳米颗粒厚膜的制备方法-CN201910498929.4在审
发明人：赖文勇;刘昌键;杜斌;牛坚;李祥春;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿纳米颗粒厚膜的制备方法。该制备方法利用良溶剂与不良溶剂组合和离心沉积技术得到钙钛矿纳米颗粒厚膜，包括以下步骤：步骤1：利用良溶剂充分分散钙钛矿纳米颗粒后，加入适量不良溶剂；步骤2：将干净的基底放入上述钙钛矿纳米颗粒分散液中并高速离心；步骤3：将基底取出并放入真空烘箱中干燥，待溶剂蒸干后最终得到钙钛矿纳米颗粒的厚膜。本发明制备钙钛矿纳米颗粒厚膜的方法简单可控、重复性高，而且制得的膜均匀致密，可以满足各种测试以及光电器件的需求，在光电器件领域有着广泛的应用潜力。
纳米颗粒钙钛矿厚膜制备不良溶剂良溶剂放入基底光电器件领域纳米颗粒分散制备钙钛矿高速离心光电器件均匀致密离心沉积应用潜力真空烘箱可控溶剂蒸干取出测试

[发明专利]一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途-CN202310980247.3在审
发明人：王阳培华;沈振宇;朱星宇;首美花;孙堂友;刘兴鹏;肖功利;彭英;张法碧;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途，包括将95‑105℃的过饱和浓度的钙钛矿前驱体溶液滴加到基底上，用不同狭缝高度的刮刀、以不同速度进行多次刮涂的步骤，通过特定的工艺，解决了现有技术中难以控制钙钛矿膜厚度以及钙钛矿厚膜缺陷密度高导致辐射探测器具有较高暗电流密度的技术问题，能够灵活、方便的进行钙钛矿厚膜的制备，获得了具有低缺陷密度、高致密度、高均匀性的钙钛矿厚膜，本发明具有低成本、制备方便、可大面积生产等优势，所需温度在200℃以下，尤其是刮涂和退火过程均在大气环境下即可完成
一种质量钙钛矿厚膜及其制备方法用途

[发明专利]一种柔性钙钛矿闪烁体厚膜及其制备方法-CN202110350062.5在审
发明人：金童;逄锦聪;牛广达;唐江;潘伟程;赵杉;阮映枫 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C08L33/20 文献下载
摘要：本发明属于辐射探测领域，公开了一种柔性钙钛矿闪烁体厚膜及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：(1)制备钙钛矿前驱体溶液；(2)在钙钛矿前驱体溶液中加入高分子聚合物并搅拌，得到钙钛矿‑聚合物前驱体溶液；(3)将钙钛矿‑聚合物前驱体溶液均匀滴涂于基底并静置，即可得到湿膜；(4)将湿膜在负压条件下进行处理，以加速溶剂挥发、聚合物结晶以及钙钛矿析晶的速度，从而最终得到柔性钙钛矿聚合物闪烁体膜。本发明直接利用聚合物的限域效应，得到的厚膜可大大扩展现有闪烁体的种类。并且，本发明还通过对制备方法整体工艺流程设计、关键工艺参数进行控制和调整，尤其可在10～30℃的室温条件下实现柔性钙钛矿闪烁体厚膜的制备。
一种柔性钙钛矿闪烁体厚膜及其制备方法

[发明专利]一种微米级钙钛矿厚膜及其制备方法和应用-CN202110769854.6在审
发明人：王睿;石鹏举;薛晶晶 -专利权人：西湖大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供一种微米级钙钛矿厚膜及其制备方法和应用，通过将芳香族脒作为添加剂添加到钙钛矿前驱体溶液中制备微米级钙钛矿厚膜，芳香族脒作为钙钛矿前驱体溶液中的添加剂，通过引入了额外的表面态进而增加了载流子的有效传输，提高了载流子的扩散长度，对应的也就使得本方案的微米级钙钛矿厚膜应用于光电器件时具有极高的开路电压与光电转换效率。
一种微米级钙钛矿厚膜及其制备方法应用

[发明专利]一种新型钙钛矿X射线探测器及其制备方法-CN202210465909.9在审
发明人：潘旭;张辉;叶加久;汪子涵;徐申东 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型钙钛矿X射线探测器，自下而上依次包括透明导电基底、电子传输层、铋基钙钛矿多晶厚膜、空穴传输层和金属电极；其中，所述铋基钙钛矿多晶厚膜采用A3Bi2X9多晶厚膜，厚度800～1200um，且通过刮涂法制得。本发明还提供了一种上述新型钙钛矿X射线探测器的制备方法。本发明的优点在于：本发明采用高性能铋基钙钛矿多晶厚膜为吸光层，能够实现大面积快速成像，优于现有的单晶成像。
一种新型钙钛矿射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种柔性无金属钙钛矿X射线探测器及其制备方法-CN202211717032.4在审
发明人：赵奎;刘新梅;李昊瑾;崔清玥;王淑美;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性无金属钙钛矿X射线探测器及其制备方法，通过真空抽滤将无金属钙钛矿前驱体溶液填充到柔性高分子多孔聚合物尼龙厚膜中，加热退火过程中，填充在柔性高分子聚合物尼龙膜中的钙钛矿受热均匀，随着溶剂的挥发，在柔性高分子聚合物尼龙膜骨架中缓慢结晶，通过二次填充以及二次退火以提高钙钛矿的比重，通过热压工艺防止柔性无金属钙钛矿厚膜在弯曲过程中发生钙钛矿与柔性基底的剥落、脱离。该方法基于柔性无金属钙钛矿填充厚膜制备了X射线探测器，获得柔性无金属钙钛矿X射线探测器，为下一代可穿戴电子产品的应用提供了一种新的思路，推进了大面积、柔性、无金属钙钛矿X射线探测器件的发展。
一种柔性金属钙钛矿射线探测器及其制备方法

[发明专利]大颗粒钙钛矿单晶/聚合物复合厚膜、光电探测器及制法-CN201910014194.3有效
发明人：林乾乾;彭家丽 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供大颗粒钙钛矿单晶/聚合物复合厚膜、光电探测器及制法，制法包括：步骤1.将钙钛矿充分溶解得到饱和溶液，过滤后持续加热制得钙钛矿单晶；步骤2.将钙钛矿单晶干燥后进行机械碾磨和筛分得到钙钛矿单晶颗粒，真空干燥后得到直径为500nm～10μm的单晶颗粒；步骤3.将单晶颗粒分散于聚合物溶液中，制成分散液；步骤4.将分散液旋涂在沉积有空穴传输层的透明导电基底上，制得大颗粒钙钛矿单晶颗粒与聚合物的复合厚膜，再将该复合厚膜在热台上退火，旋涂转速为100～4000rpm。本发明提供的复合厚膜具有优异的电荷传输性能、快响应速度、高稳定性、低暗电流和噪声、制备简便等优点。
颗粒钙钛矿单晶聚合物复合光电探测器制法

[发明专利]一种生长面积和厚度可控的钙钛矿单晶厚膜的方法-CN202211609352.8在审
发明人：李青;刘世林;雷威;丁奕婧;梁星辰 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长面积和厚度可控的钙钛矿单晶厚膜的方法，该方法通过激光加热精确控制晶体形核数量为1个，然后采用局部变温加热，促使晶核进一步生长成大面积单晶厚膜。本发明的单晶厚膜生长装置能够持续提供原料，保证了单晶厚膜的持续稳定生长。该方法通过改变两层基板间隔层厚度控制单晶厚膜的厚度，最终获得了大尺寸、高质量且厚度可控的钙钛矿单晶厚膜。此外，该方法和装置还适用于多种钙钛矿材料体系。相较于原始方法，基板无需疏水化处理，降低了形核密度，解决单晶厚膜因供料不足，难以持续稳定生长的难题。该方法和装置可以得到尺寸更大、形状更加规则的钙钛矿单晶厚膜，弥补了现有技术的不足。
一种生长面积厚度可控钙钛矿单晶厚膜方法

[发明专利]模拟基底提升微米级厚膜钙钛矿器件效率的方法及应用-CN202210196799.0在审
发明人：王睿;薛晶晶;石鹏举 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供一种模拟基底提升微米级厚膜钙钛矿器件效率的方法及应用，采用液相三步旋涂法构建模拟基底，并在模拟基底的基础上制备微米级厚膜钙钛矿，这种方法可以有效的延续基底施加的应力，使得恢复厚膜中消失的应力，使得本方案的微米级钙钛矿厚膜应用于光电器件时具有极高的电导率和光电转换效率。
模拟基底提升微米级厚膜钙钛矿器件效率方法应用

[发明专利]一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用-CN201910847897.4有效
发明人：牛广达;唐江;潘伟程;杨波 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明属于以半导体材料制备的辐射探测技术领域，公开了一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用，其中制备方法具体是：(1)将铯铅卤素钙钛矿材料分散在基底上，然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态；(2)将石英片覆盖在液态的钙钛矿材料上，使被石英片覆盖的液态钙钛矿材料在所述基底上均匀分散；(3)将温度以0.1～5℃/min的速率缓慢降低进行冷却，然后将石英片揭掉，即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜本发明通过对制备方法的整体工艺流程设计(包括温度控制程序)等进行改进，能够获得高性能、取向一致、稳定的、高灵敏度大面积厚膜，解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、取向不一致等问题。
一种卤素钙钛矿厚膜及其制备应用

[发明专利]一种基于同质桥接原理的均匀致密有机-无机杂化钙钛矿厚膜的制备方法-CN202310599972.6在审
发明人：李晓明;柴英俊 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于同质桥接原理的均匀致密有机‑无机杂化钙钛矿厚膜的制备方法。其步骤为：在有机‑无机杂化钙钛矿前驱体溶液中加入冰醋酸作为形核促进剂，加入反溶剂三氯甲烷析出钙钛矿微晶，经过离心洗涤干燥，将所得微晶粉末与少量γ‑丁内酯混合，配制成过饱和浆料；将浆料均匀涂布在ITO基底上，在真空干燥箱中退火至溶剂完全挥发，得到所述有机‑无机杂化钙钛矿厚膜。本发明通过加入冰醋酸得到大颗粒尺寸的钙钛矿微晶粉末，并将其配制成过饱和浆料用于厚膜刮涂。基于同质桥接原理，利用浆料中的饱和溶液在退火过程中生长出的新晶粒来填补溶剂挥发所产生的孔隙并将原有晶粒连接，从而形成均匀致密的钙钛矿厚膜，用于X射线探测。
一种基于同质原理均匀致密有机无机杂化钙钛矿厚膜制备方法

[发明专利]一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜X-射线探测器及其制备方法-CN201911244055.6有效
发明人：林乾乾;彭家丽 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜X‑射线探测器及其制备方法。该X‑射线探测器包括空穴传输层、钙钛矿单晶颗粒复合膜、电子传输层、界面修饰层和电极，其中钙钛矿单晶颗粒复合膜为钙钛矿单晶与多醇或聚合物的复合膜，膜厚为30～200μm，钙钛矿单晶为甲胺铅溴盐钙钛矿单晶。其制备为：制备甲胺铅溴盐钙钛矿单晶，粉碎和筛分后均匀分散在多醇类或聚合物溶液中，然后旋涂在空穴传输层或电子传输层上，退火后制得钙钛矿单晶颗粒复合膜；在所得复合膜表面沉积电子传输层或空穴传输层、界面修饰层和电极即得基于钙钛矿单晶颗粒复合膜
一种基于钙钛矿单晶颗粒复合射线探测器及其制备方法

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